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GeneSiC Semiconductor GBPC2508W

BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W
part number has RoHS
Hersteller Modell :GBPC2508W
Dasenic Modell :GBPC2508W-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 1.4580$ 1.46
3+$ 1.3140$ 3.94
10+$ 1.1610$ 11.61
50+$ 1.0440$ 52.2
250+$ 0.9720$ 243
Auf Lager: 3732
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 1.458
Gesamt :$ 1.46
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.

GBPC2508W Informationen

  • GeneSiC Semiconductor GBPC2508W technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
  • Produktstatus:Active
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp:Through Hole
  • Verpackung/ Koffer:4-Square, GBPC-W
  • Technologie:Standard
  • Gerätepaket des Lieferanten:GBPC-W
  • Diodentyp:Single Phase
  • Spannung - Spitzenrückwärtsspannung ( Max.):800 V
  • Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):25 A
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.1 V @ 1.2 A
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:5 µA @ 800 V
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • US-ECCN:EAR99
  • HTS USA:8541.10.0080
  • REACH-Status:REACH is not affected
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBPC2508W bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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