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GeneSiC Semiconductor GBPC2508W
Hersteller Modell :GBPC2508W
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :GBPC2508W-DS
Dokument : GBPC2508W Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W
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GBPC2508W Informationen
GeneSiC Semiconductor GBPC2508W technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Montagetyp:Through Hole
- Verpackung/ Koffer:4-Square, GBPC-W
- Technologie:Standard
- Gerätepaket des Lieferanten:GBPC-W
- Diodentyp:Single Phase
- Spannung - Spitzenrückwärtsspannung ( Max.):800 V
- Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):25 A
- Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.1 V @ 1.2 A
- Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:5 µA @ 800 V
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.10.0080
- REACH-Status:REACH is not affected
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBPC2508W bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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