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Certifications for ISO45001
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  • EPC Space FBG10N05AC

    GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :FBG10N05AC
  • Hersteller :EPC Space
  • Dasenic Modell :FBG10N05AC-DS
  • Dokument :pdf download FBG10N05AC Dokument
  • Beschreibung : GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
  • Verpackung :-
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EPC Space FBG10N05AC technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:4-SMD, No Lead
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Gerätepaket des Lieferanten:4-SMD
Verlustleistung (max.):-
F E T- Typ:N-Channel
F E T- Funktion:-
Drain- Source- Spannung ( Vdss):100 V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:5A (Tc)
R D S ein (max.) bei I D, V G S:44mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) ( Max) @ Id:2.5V @ 1.2mA
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:2.2 nC @ 5 V
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:233 pF @ 50 V
Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):5V
Vgs (max.):+6V, -4V
MSL-Bewertung:Vendor omitted MSL Rating information
HTS USA:0000.00.0000
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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