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EPC Space FBG10N30BC
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Hersteller Modell :FBG10N30BC
Hersteller :EPC Space
Dasenic Modell :FBG10N30BC-DS
Dokument :
FBG10N30BC Dokument
FBG10N30BC DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
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FBG10N30BC Informationen
EPC Space FBG10N30BC technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:4-SMD, No Lead
- Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
- Gerätepaket des Lieferanten:4-SMD
- Verlustleistung (max.):-
- F E T- Typ:N-Channel
- F E T- Funktion:-
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):100 V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:30A (Tc)
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:9mOhm @ 30A, 5V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:2.5V @ 5mA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:11 nC @ 5 V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:1000 pF @ 50 V
- Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):5V
- Vgs (max.):+6V, -4V
- MSL-Bewertung:Vendor omitted MSL Rating information
- HTS USA:0000.00.0000
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FBG10N30BC bereitgestellt von EPC Space
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