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EPC UP1966E
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MOQ: 1
2 Preisstufen
- Hersteller Modell :UP1966E
- Hersteller :EPC
- Dasenic Modell :UP1966E-DS
- Dokument : UP1966E Dokument PDF
- Beschreibung : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP
- Verpackung :-
- Einzelpreis: $1.7213Gesamt: $1.72
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EPC UP1966E technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Full, Half-Bridge Drivers
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-40°C ~ 125°C
Merkmale:-
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:12-UFBGA, WLCSP
Technologie:Gallium Nitride (GaN) FETs
Schnittstelle:-
Gerätepaket des Lieferanten:12-WLCSP-B (1.6x1.6)
Spannung - Versorgung:4.5V ~ 5.5V
Strom - Ausgang / Kanal:-
Strom - Spitzenleistung:-
Fehlerschutz:UVLO
Ausgabekonfiguration:Half Bridge
Lasttyp:-
R D S Ein ( Typ):-
Spannung - Last:-
Anwendungen:-
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH-Status:REACH Unaffected
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8542.39.0001
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
UP1966E bereitgestellt von EPC
Efficient Power Conversion Corporation (EPC) ist ein hochmodernes Technologieunternehmen, das sich der Weiterentwicklung des Bereichs der Leistungselektronik durch die Entwicklung und Vermarktung von Leistungsgeräten auf Galliumnitrid-Basis (GaN) verschrieben hat. EPC wurde 2007 von einem Team aus Experten für Leistungselektronik, Halbleiter und Unternehmensführung gegründet. Seit seiner Gründung hat sich EPC zu einem anerkannten Branchenführer entwickelt und bietet ein breites Portfolio an handelsüblichen Leistungstransistoren und integrierten Schaltkreisen auf GaN-Basis. Seit 2009 wurde die Produktlinie des Unternehmens schnell erweitert und umfasst nun eine wachsende Familie von integrierten Schaltkreisen, für die Automobilindustrie qualifizierten Geräten und strahlungsfesten Geräten. Unsere Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, von Unterhaltungselektronik und Automobil bis hin zu erneuerbaren Energien und Raumfahrt. Heute arbeiten führende Unternehmen auf der ganzen Welt mit EPC zusammen, um ihre Technologien der nächsten Generation mit der Leistung von GaN auszustatten.
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