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Etron Technology, Inc. EM6AA160BKE-4IH

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Etron Technology, Inc. EM6AA160BKE-4IH technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:60-TFBGA
Technologie:SDRAM - DDR
Gerätepaket des Lieferanten:60-FBGA (8x13)
Speichergröße:256Mb (16M x 16)
Speichertyp:Volatile
Spannung - Versorgung:2.3V ~ 2.7V
Taktfrequenz:250 MHz
Zugriffszeit:700 ps
Gedächtnis- Format:DRAM
Speicherschnittstelle:Parallel
Schreibzykluszeit – Wort, Seite:15ns
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH-Status:REACH Unaffected
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8542.32.0024
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
EM6AA160BKE-4IH bereitgestellt von Etron Technology, Inc.
Etron Technology, Inc. (TPEx: 5351. TW) wurde 1991 gegründet und ist ein erstklassiges Fabless- und heterogenes Integrations-IC-Designunternehmen, das sich auf anwendungsgesteuerten Pufferspeicher, Known-Good-Die-Memory (KGDM) und DRAM mit langer Speicherdauer (RPC DRAM) sowie andere DRAM-Produkte spezialisiert hat, die auf künstlicher Intelligenz und maschinellem Lernen basieren. Etron entwickelt auch System-in-Packages, darunter Hochgeschwindigkeits-Transfer-Schnittstellenchips für USB Type-C und Chips für 3D-Tiefensensor-Computervision und Panoramabildaufnahme. Mit Taiwans vorteilhafter geografischer und finanziell strategischer Lage im asiatisch-pazifischen Raum versucht Etron, die Grenzen zwischen Nachbarländern und dem internationalen Markt zu überbrücken, indem es aktive Geschäfte mit Unternehmen in den USA, Europa, Japan sowie anderen asiatischen Ländern unterhält.

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Bewertungen und Rezensionen
Great Product

John D.

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Good Experience

Sarah M.

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Mike R.

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