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Etron Technology, Inc. EM6GD08EWAHH-10H

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Etron Technology, Inc. EM6GD08EWAHH-10H technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:78-VFBGA
Technologie:SDRAM - DDR3
Gerätepaket des Lieferanten:78-FBGA (7.5x10.5)
Speichergröße:2Gb (256M x 8)
Speichertyp:Volatile
Spannung - Versorgung:1.425V ~ 1.575V
Taktfrequenz:933 MHz
Zugriffszeit:20 ns
Gedächtnis- Format:DRAM
Speicherschnittstelle:Parallel
Schreibzykluszeit – Wort, Seite:15ns
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
EM6GD08EWAHH-10H bereitgestellt von Etron Technology, Inc.
Etron Technology, Inc. (TPEx: 5351. TW) wurde 1991 gegründet und ist ein erstklassiges Fabless- und heterogenes Integrations-IC-Designunternehmen, das sich auf anwendungsgesteuerten Pufferspeicher, Known-Good-Die-Memory (KGDM) und DRAM mit langer Speicherdauer (RPC DRAM) sowie andere DRAM-Produkte spezialisiert hat, die auf künstlicher Intelligenz und maschinellem Lernen basieren. Etron entwickelt auch System-in-Packages, darunter Hochgeschwindigkeits-Transfer-Schnittstellenchips für USB Type-C und Chips für 3D-Tiefensensor-Computervision und Panoramabildaufnahme. Mit Taiwans vorteilhafter geografischer und finanziell strategischer Lage im asiatisch-pazifischen Raum versucht Etron, die Grenzen zwischen Nachbarländern und dem internationalen Markt zu überbrücken, indem es aktive Geschäfte mit Unternehmen in den USA, Europa, Japan sowie anderen asiatischen Ländern unterhält.

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Bewertungen und Rezensionen
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

Sarah M.

Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

Satisfied

Mike R.

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