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Flip Electronics NTMFD6H852NLT1G

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Flip Electronics NTMFD6H852NLT1G technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:8-PowerTDFN
Leistung – Max:250mW (Ta)
Gerätepaket des Lieferanten:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
F E T- Typ:2 N-Channel (Dual)
F E T- Funktion:-
Drain- Source- Spannung ( Vdss):80V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:295mA
R D S ein (max.) bei I D, V G S:1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) ( Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:5nC @ 4.5V
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:26pF @ 20V
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH-Status:REACH Unaffected
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.21.0095
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NTMFD6H852NLT1G bereitgestellt von Flip Electronics

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Bewertungen und Rezensionen
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

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Sarah M.

Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

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Mike R.

Accurate product description and arrived earlier than expected.

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