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GaNPower GPI65008DF56
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
Hersteller Modell :GPI65008DF56
Hersteller :GaNPower
Dasenic Modell :GPI65008DF56-DS
Dokument :
GPI65008DF56 Dokument
GPI65008DF56 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
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GPI65008DF56 Informationen
GaNPower GPI65008DF56 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:Die
- Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
- Gerätepaket des Lieferanten:Die
- Verlustleistung (max.):-
- F E T- Typ:N-Channel
- F E T- Funktion:-
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):650 V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:8A
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:-
- Vgs(th) ( Max) @ Id:1.4V @ 3.5mA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:2.1 nC @ 6 V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:63 pF @ 400 V
- Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):6V
- Vgs (max.):+7.5V, -12V
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- MSL-Bewertung:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0095
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GPI65008DF56 bereitgestellt von GaNPower
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