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Global Power Technology-GPT G3S06505D

Name: G3S06505D
Brand: Global Power Technology-GPT
SKU: G3S06505D-DS
Price: 6.3200 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 2257

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2 Preisstufen

Hersteller Modell :G3S06505D
Hersteller :Global Power Technology-GPT
Dasenic Modell :G3S06505D-DS
Dokument : G3S06505D Dokument PDF
Beschreibung : SIC SCHOTTKY DIODE 650V 5A 2-PIN
Verpackung :-
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Global Power Technology-GPT G3S06505D technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single

Produktstatus:Active

Montagetyp:Surface Mount

Verpackung/ Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten:TO-263

Geschwindigkeit:No Recovery Time > 500mA (Io)

Diodentyp:Silicon Carbide Schottky

Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):22.6A (DC)

Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.7 V @ 5 A

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:50 µA @ 650 V

Kapazität @ Vr, F:424pF @ 0V, 1MHz

Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):650 V

Sperrverzögerungszeit (trr):0 ns

Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 175°C

MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

REACH-Status:REACH info available upon request

US-ECCN:EAR99

HTS USA:8541.10.0080

EU RoHS-Status:RoHS Compliant

China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

G3S06505D bereitgestellt von Global Power Technology-GPT

Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) ist einer der Pioniere bei der Industrialisierung von Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen (SiC) in China. GPT ist der erste Hersteller von SiC-Leistungsbauelementen in China und besitzt eine komplette Halbleiterfabrik in Peking. Die Produktionslinie ist mit der Herstellung von 4/6-Zoll-Wafer kompatibel. Als erstes inländisches Unternehmen für Forschung und Entwicklung sowie Produktionsplattform-Services für SiC-Bauelemente umfasst die Produktionslinie von GPT grundlegende Kerntechnologieprodukte, SIC-Formprodukte und mehrere Industrielösungen. Die Kernprodukte des Unternehmens werden durch SiC-Schottky-Dioden repräsentiert. Eine Reihe von Siliziumkarbid-Schottky-Diodenprodukten wurde in Massenproduktion gebracht, die Qualität der Produkte kann mit dem fortgeschrittenen Niveau der gleichen Branche weltweit verglichen werden.