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  • Global Power Technology-GPT G3S12010C

    SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :G3S12010C
  • Hersteller :Global Power Technology-GPT
  • Dasenic Modell :G3S12010C-DS
  • Dokument :pdf download G3S12010C Dokument
  • Beschreibung : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P
  • Verpackung :-
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Global Power Technology-GPT G3S12010C technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252
スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 ( Io):33.2A (DC)
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 10 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 1200 V
静電容量 @ Vr、 F:765pF @ 0V, 1MHz
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
逆回復時間 (trr):0 ns
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Global Power Technology-GPT G3S12010C
Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) は、中国のシリコンカーバイド (SiC) パワーデバイスの産業化における先駆者の 1 つです。中国初の SiC パワーデバイスメーカーとして知られる GPT は、北京に完全な半導体工場を所有しています。生産ラインは、4/6 インチのウェハ製造に対応しています。国内初の SiC デバイス研究開発および生産プラットフォーム サービス企業として、GPT の生産ラインは、基本的なコア技術製品、SIC 成形製品、および複数の産業ソリューションをカバーしています。同社のコア製品は、SiC ショットキー ダイオードに代表されます。一連のシリコンカーバイド ショットキー ダイオード製品が量産されており、製品の品質は世界の同業他社の先進レベルに匹敵します。
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