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Global Power Technology-GPT G3S12020B

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
part number has RoHS
Hersteller Modell :G3S12020B
Dasenic Modell :G3S12020B-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
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Auf Lager: 5940
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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G3S12020B Informationen

  • Global Power Technology-GPT G3S12020B technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • Produktstatus:Active
  • Montagetyp:Through Hole
  • Verpackung/ Koffer:TO-247-2
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247AC
  • Geschwindigkeit:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Diodentyp:Silicon Carbide Schottky
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.7 V @ 10 A
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:50 µA @ 1200 V
  • Diodenkonfiguration:1 Pair Common Cathode
  • Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):1200 V
  • Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):37A (DC)
  • Sperrverzögerungszeit (trr):0 ns
  • Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 175°C
  • MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH-Status:REACH info available upon request
  • US-ECCN:EAR99
  • HTS USA:8541.10.0080
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G3S12020B bereitgestellt von Global Power Technology-GPT
Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) ist einer der Pioniere bei der Industrialisierung von Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen (SiC) in China. GPT ist der erste Hersteller von SiC-Leistungsbauelementen in China und besitzt eine komplette Halbleiterfabrik in Peking. Die Produktionslinie ist mit der Herstellung von 4/6-Zoll-Wafer kompatibel. Als erstes inländisches Unternehmen für Forschung und Entwicklung sowie Produktionsplattform-Services für SiC-Bauelemente umfasst die Produktionslinie von GPT grundlegende Kerntechnologieprodukte, SIC-Formprodukte und mehrere Industrielösungen. Die Kernprodukte des Unternehmens werden durch SiC-Schottky-Dioden repräsentiert. Eine Reihe von Siliziumkarbid-Schottky-Diodenprodukten wurde in Massenproduktion gebracht, die Qualität der Produkte kann mit dem fortgeschrittenen Niveau der gleichen Branche weltweit verglichen werden.
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