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Infineon Technologies FF200R12KE3HOSA1
IGBT MODULE 1200V 1050W
Hersteller Modell :FF200R12KE3HOSA1
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :FF200R12KE3HOSA1-DS
Dokument :
FF200R12KE3HOSA1 Dokument
FF200R12KE3HOSA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT MODULE 1200V 1050W
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 109.2870 | $ 109.29 |
| 25+ | $ 107.1000 | $ 2677.5 |
| 100+ | $ 102.7260 | $ 10272.6 |
| 500+ | $ 98.3610 | $ 49180.5 |
| 1000+ | $ 92.8980 | $ 92898 |
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FF200R12KE3HOSA1 Informationen
Infineon Technologies FF200R12KE3HOSA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:1050 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- 構成:2 Independent
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):-
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:5 mA
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.15V @ 15V, 200A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:14 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:Yes
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FF200R12KE3HOSA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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