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Infineon Technologies FS100R12KT4GBOSA1

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Infineon Technologies FS100R12KT4GBOSA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C
Montagetyp:Chassis Mount
Verpackung/ Koffer:Module
Leistung – Max:515 W
Gerätepaket des Lieferanten:Module
Konfiguration:Three Phase Inverter
Eingang:Standard
Strom - Kollektor ( Ic) ( Max):100 A
Spannung - Kollektor- Emitter- Durchbruch ( Max.):1200 V
Strom - Kollektorabschaltung (max.):1 mA
I G B T- Typ:Trench Field Stop
Vce(ein) ( Max) @ Vge, Ic:2.2V @ 15V, 100A
Eingangskapazität ( Cies) @ Vce:6.3 nF @ 25 V
N T C- Thermistor:Yes
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:Vendor omitted MSL Rating information
REACH-Status:REACH Unaffected
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.29.0095
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FS100R12KT4GBOSA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) ist ein weltweit führender Halbleiterhersteller für Stromversorgungssysteme und IoT. Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Zu den Halbleiterprodukten des Unternehmens gehören ASIC, Batteriemanagement-ICs, Taktgeber und Timing-Lösungen, ESD- und Überspannungsschutz, Speichermikrocontroller, HF-, Sicherheits- und Chipkartenlösungen, Sensoren, Kleinsignaltransistoren und -dioden, Transceiver, drahtlose Konnektivität, Software und mehr. Diese Produkte werden in den Bereichen Automobil, umweltfreundliche Industriestromversorgung, Energiemanagement, Sensorlösungen und Sicherheit in IoT-Anwendungen eingesetzt. Infineon Technologies wurde 1999 als Spin-off der Siemens AG gegründet. Das Unternehmen hat seinen Hauptsitz in Neubiberg bei München und beschäftigt rund 56.200 Mitarbeiter an 155 Standorten weltweit.

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Bewertungen und Rezensionen
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

Sarah M.

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Mike R.

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