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Infineon Technologies FZ800R33KF2CB3S2NDSA1
IGBT MODULE 3300V 1A 9600W
Hersteller Modell :FZ800R33KF2CB3S2NDSA1
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :FZ800R33KF2CB3S2NDSA1-DS
Dokument :
FZ800R33KF2CB3S2NDSA1 Dokument
FZ800R33KF2CB3S2NDSA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT MODULE 3300V 1A 9600W
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FZ800R33KF2CB3S2NDSA1 Informationen
Infineon Technologies FZ800R33KF2CB3S2NDSA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Last Time Buy
- 動作温度:-40°C ~ 125°C
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:9600 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:-
- 構成:Half Bridge
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):1 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):3300 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:5 mA
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:4.25V @ 15V, 800A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:100 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:No
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
FZ800R33KF2CB3S2NDSA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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