1 / 1

1 : $6.2910

Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !

Infineon Technologies IPB107N20NAATMA1

Name: IPB107N20NAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB107N20NAATMA1-DS
Price: 6.2910 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 25128

MOQ: 1

5 Preisstufen

Hersteller Modell :IPB107N20NAATMA1
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :IPB107N20NAATMA1-DS
Dokument : IPB107N20NAATMA1 Dokument PDF
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Verpackung :-
Einzelpreis: $6.2910
Gesamt: $6.29

Menge	Einzelpreis	Speichern
1-1	$6.2910	-
2-10	$3.7620	40.2% Speichern
11-50	$3.4560	45.1% Speichern
51-100	$3.3030	47.5% Speichern
101-200	$3.2670	48.1% Speichern

Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.

Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.

Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.

Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.

Infineon Technologies IPB107N20NAATMA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Produktstatus:Active

Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp:Surface Mount

Verpackung/ Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Technologie:MOSFET (Metal Oxide)

Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO263-3

Verlustleistung (max.):300W (Tc)

F E T- Typ:N-Channel

F E T- Funktion:-

Drain- Source- Spannung ( Vdss):200 V

Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:88A (Tc)

R D S ein (max.) bei I D, V G S:10.7mOhm @ 88A, 10V

Vgs(th) ( Max) @ Id:4V @ 270µA

Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:87 nC @ 10 V

Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:7100 pF @ 100 V

Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):10V

Vgs (max.):±20V

EU RoHS-Status:RoHS Compliant

REACH-Status:REACH is not affected

US-ECCN:EAR99

China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

IPB107N20NAATMA1 bereitgestellt von Infineon Technologies

Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) ist ein weltweit führender Halbleiterhersteller für Stromversorgungssysteme und IoT. Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Zu den Halbleiterprodukten des Unternehmens gehören ASIC, Batteriemanagement-ICs, Taktgeber und Timing-Lösungen, ESD- und Überspannungsschutz, Speichermikrocontroller, HF-, Sicherheits- und Chipkartenlösungen, Sensoren, Kleinsignaltransistoren und -dioden, Transceiver, drahtlose Konnektivität, Software und mehr. Diese Produkte werden in den Bereichen Automobil, umweltfreundliche Industriestromversorgung, Energiemanagement, Sensorlösungen und Sicherheit in IoT-Anwendungen eingesetzt. Infineon Technologies wurde 1999 als Spin-off der Siemens AG gegründet. Das Unternehmen hat seinen Hauptsitz in Neubiberg bei München und beschäftigt rund 56.200 Mitarbeiter an 155 Standorten weltweit.