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Infineon Technologies IRFL024ZTRPBF

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  • Hersteller Modell :IRFL024ZTRPBF
  • Hersteller :Infineon Technologies
  • Dasenic Modell :IRFL024ZTRPBF-DS
  • Dokument : IRFL024ZTRPBF Dokument PDF
  • Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 TO-261-4, TO-261AA
  • Verpackung :TO-261-4, TO-261AA
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Infineon Technologies IRFL024ZTRPBF technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:TO-261-4, TO-261AA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Gerätepaket des Lieferanten:SOT-223
Verlustleistung (max.):1W (Ta)
F E T- Typ:N-Channel
F E T- Funktion:-
Drain- Source- Spannung ( Vdss):55 V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:5.1A (Ta)
R D S ein (max.) bei I D, V G S:57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) ( Max) @ Id:4V @ 250µA
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:14 nC @ 10 V
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:340 pF @ 25 V
Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):10V
Vgs (max.):±20V
IRFL024ZTRPBF bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) ist ein weltweit führender Halbleiterhersteller für Stromversorgungssysteme und IoT. Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Zu den Halbleiterprodukten des Unternehmens gehören ASIC, Batteriemanagement-ICs, Taktgeber und Timing-Lösungen, ESD- und Überspannungsschutz, Speichermikrocontroller, HF-, Sicherheits- und Chipkartenlösungen, Sensoren, Kleinsignaltransistoren und -dioden, Transceiver, drahtlose Konnektivität, Software und mehr. Diese Produkte werden in den Bereichen Automobil, umweltfreundliche Industriestromversorgung, Energiemanagement, Sensorlösungen und Sicherheit in IoT-Anwendungen eingesetzt. Infineon Technologies wurde 1999 als Spin-off der Siemens AG gegründet. Das Unternehmen hat seinen Hauptsitz in Neubiberg bei München und beschäftigt rund 56.200 Mitarbeiter an 155 Standorten weltweit.

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Bewertungen und Rezensionen
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John D.

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