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Infineon Technologies SIGC81T60SNCX1SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
Hersteller Modell :SIGC81T60SNCX1SA1
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :SIGC81T60SNCX1SA1-DS
Dokument :
SIGC81T60SNCX1SA1 Dokument
SIGC81T60SNCX1SA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT 3 CHIP 600V WAFER
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SIGC81T60SNCX1SA1 Informationen
Infineon Technologies SIGC81T60SNCX1SA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
- I G B Tタイプ:NPT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.5V @ 15V, 100A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):300 A
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:-
- Td (オン/オフ) @ 25° C:65ns/450ns
- テスト条件:400V, 100A, 3.3Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:OBSOLETE
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
SIGC81T60SNCX1SA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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