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Integra Technologies IGN1011L1200
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Hersteller Modell :IGN1011L1200
Hersteller :Integra Technologies
Dasenic Modell :IGN1011L1200-DS
Dokument :
IGN1011L1200 Dokument
IGN1011L1200 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 1544.1200 | $ 1544.12 |
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IGN1011L1200 Informationen
Integra Technologies IGN1011L1200 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- 製品ステータス:Active
- 電圧 - 定格:180 V
- パッケージ/ケース:PL84A1
- 頻度:1.03GHz ~ 1.09GHz
- 定格電流（アンペア）:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:PL84A1
- 電力 - 出力:1250W
- トランジスタタイプ:HEMT
- 得:16.8dB
- 電圧 - テスト:50 V
- ノイズ指数:-
- 現在 - テスト:160 mA
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0075
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IGN1011L1200 bereitgestellt von Integra Technologies
Integra Technologies は、世界中の最高性能のレーダー システム向けに、最先端の RF パワー ソリューションを設計、製造しています。当社の製品には、RF パワー トランジスタ GaN、RF パワー トランジスタ シリコン、50 オーム RF パワー トランジスタ、RF パワー アンプ パレットなどがあります。当社は高性能市場に焦点を当て、航空宇宙および防衛レーダー、航空管制、気象レーダー、航空電子工学、データ リンク、電子戦、医療および産業アプリケーション向けに、既製、セミカスタム、カスタム ソリューションを提供しています。当社は、最先端の高出力プリマッチおよびフルマッチ RF パワー トランジスタと統合 RF パワー アンプ モジュールの完全なセレクションで、現在の UHF から X バンドのレーダー システム アプリケーションをサポートするだけでなく、レガシー プログラムとカスタム設計要件のサポートにも取り組んでいます。
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