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Inventchip IV1Q12050T3
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
Hersteller Modell :IV1Q12050T3
Hersteller :Inventchip
Dasenic Modell :IV1Q12050T3-DS
Dokument :
IV1Q12050T3 Dokument
IV1Q12050T3 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 63.3000 | $ 63.3 |
| 30+ | $ 46.2500 | $ 1387.5 |
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IV1Q12050T3 Informationen
Inventchip IV1Q12050T3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
- 消費電力（最大）:327W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:58A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:65mOhm @ 20A, 20V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.2V @ 6mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:120 nC @ 20 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2770 pF @ 800 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:20V
- Vgs (最大):+20V, -5V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IV1Q12050T3 bereitgestellt von Inventchip
InventChip Technology Co., Ltd.は、シリコンカーバイドパワーデバイスとドライバー/コントロールIC製品の開発に注力するハイテク半導体企業です。2017年に設立され、中国上海に拠点を置いています。Inventchipは、風力エネルギー、太陽光発電、産業用電源、新エネルギー車、モータードライブ、充電パイルなどの分野に適したSiCパワーデバイス、SiCドライバーチップ、SiCモジュールを中心とした電力変換ソリューションを提供しています。Inventchipは、設立当初から6インチSiC MOSFETの研究開発に取り組んできました。3年間の集中的な研究開発を経て、中国で初めて6インチSiC MOSFETとSBDプロセス、およびSiC MOSFETドライバーチップを習得した企業となりました。Inventchipは、エンドシステムの小型化、軽量化、効率向上に特化した高品質でコスト効率の高いSiCパワーデバイスとIC製品の開発に取り組んでおり、完全なターンキー半導体ソリューションを提供しています。
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