Die Bilder dienen nur als Referenz.
1 : $4.0590
Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !
Inventchip IVCR2405DR
GENERAL PURPOSE DRIVER, 24V, 4A
Hersteller Modell :IVCR2405DR
Hersteller :Inventchip
Dasenic Modell :IVCR2405DR-DS
Dokument :
IVCR2405DR Dokument
IVCR2405DR DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : GENERAL PURPOSE DRIVER, 24V, 4A
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 4.0590 | $ 4.06 |
| 10+ | $ 2.6901 | $ 26.9 |
| 25+ | $ 4.0590 | $ 101.48 |
| 100+ | $ 1.9353 | $ 193.53 |
| 250+ | $ 1.7414 | $ 435.35 |
Auf Lager: 11931
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 4.059
Gesamt :$ 4.06
Waren ausliefern :
Zahlung :
Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.
Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.
Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.
Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.
IVCR2405DR Informationen
Inventchip IVCR2405DR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 入力タイプ:Inverting, Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 電圧 - 供給:4.5V ~ 20V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Low-Side
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:-
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:4A, 4A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
- 上昇/下降時間（標準）:6ns, 6ns
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:2 (1 Year,30°C/60%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IVCR2405DR bereitgestellt von Inventchip
InventChip Technology Co., Ltd.は、シリコンカーバイドパワーデバイスとドライバー/コントロールIC製品の開発に注力するハイテク半導体企業です。2017年に設立され、中国上海に拠点を置いています。Inventchipは、風力エネルギー、太陽光発電、産業用電源、新エネルギー車、モータードライブ、充電パイルなどの分野に適したSiCパワーデバイス、SiCドライバーチップ、SiCモジュールを中心とした電力変換ソリューションを提供しています。Inventchipは、設立当初から6インチSiC MOSFETの研究開発に取り組んできました。3年間の集中的な研究開発を経て、中国で初めて6インチSiC MOSFETとSBDプロセス、およびSiC MOSFETドライバーチップを習得した企業となりました。Inventchipは、エンドシステムの小型化、軽量化、効率向上に特化した高品質でコスト効率の高いSiCパワーデバイスとIC製品の開発に取り組んでおり、完全なターンキー半導体ソリューションを提供しています。
Inventchip Verwandte Produkte
Wir können Kundenanfragen nach elektronischen Komponenten umgehend erfüllen, auch bei Teilen, die auf dem Markt knapp sind.
