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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6BLI
Hersteller Modell :IS42S32160F-6BLI
Hersteller :ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Dasenic Modell :IS42S32160F-6BLI-DS
Dokument : IS42S32160F-6BLI Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA
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IS42S32160F-6BLI Informationen
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6BLI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:90-TFBGA
- テクノロジー:SDRAM
- サプライヤーデバイスパッケージ:90-TFBGA (8x13)
- メモリサイズ:512Mb (16M x 32)
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:3V ~ 3.6V
- クロック周波数:167 MHz
- アクセス時間:5.4 ns
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.32.0028
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS42S32160F-6BLI bereitgestellt von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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