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ISSI® IS43QR8K02S2A-083TBL
16G, 1.2V, DDR4, 2MX8, DUAL RANK
- Hersteller Modell :IS43QR8K02S2A-083TBL
- Hersteller :ISSI®
- Dasenic Modell :IS43QR8K02S2A-083TBL-DS
- Dokument :
IS43QR8K02S2A-083TBL Dokument - Beschreibung : 16G, 1.2V, DDR4, 2MX8, DUAL RANK
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ISSI® IS43QR8K02S2A-083TBL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Active
動作温度:0°C ~ 90°C (TC)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:78-LFBGA
テクノロジー:SDRAM - DDR4
サプライヤーデバイスパッケージ:78-LWBGA (10x14)
メモリサイズ:16Gbit
メモリタイプ:Volatile
電圧 - 供給:1.14V ~ 1.26V
クロック周波数:1.2 GHz
アクセス時間:18 ns
メモリフォーマット:DRAM
メモリインターフェース:Parallel
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
記憶の組織化:2G x 8
パッケージ:Tray
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISSI® IS43QR8K02S2A-083TBL
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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