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ISSI® IS46TR16256ECL-125LB2LA2
Automotive (Tc: -40 to +105C), 4
- Hersteller Modell :IS46TR16256ECL-125LB2LA2
- Hersteller :ISSI®
- Dasenic Modell :IS46TR16256ECL-125LB2LA2-DS
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IS46TR16256ECL-125LB2LA2 Dokument - Beschreibung : Automotive (Tc: -40 to +105C), 4
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| 10 + | $ 50.6800 | $ 506.80 |
| 25 + | $ 50.1200 | $ 1253.00 |
| 100 + | $ 42.9200 | $ 4292.00 |
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ISSI® IS46TR16256ECL-125LB2LA2 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
Produktstatus:Active
Verpackung/ Koffer:96-TFBGA
Technologie:SDRAM - DDR3L
Serie:Automotive, AEC-Q100
Betriebstemperatur:-40°C ~ 105°C
Speichergröße:4Gbit
Speichertyp:Volatile
Taktfrequenz:800 MHz
Speicherformat:DRAM
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicher Organisation:512M x 8
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISSI® IS46TR16256ECL-125LB2LA2
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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