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ISSI® IS61NLP12836EC-200TQLI-TR
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100LQFP
Hersteller Modell :IS61NLP12836EC-200TQLI-TR
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS61NLP12836EC-200TQLI-TR-DS
Dokument :
IS61NLP12836EC-200TQLI-TR Dokument
IS61NLP12836EC-200TQLI-TR DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100LQFP
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IS61NLP12836EC-200TQLI-TR Informationen
ISSI® IS61NLP12836EC-200TQLI-TR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:100-LQFP
- テクノロジー:SRAM - Synchronous, SDR
- サプライヤーデバイスパッケージ:100-LQFP (14x20)
- メモリサイズ:4.5Mbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:3.135V ~ 3.465V
- クロック周波数:200 MHz
- アクセス時間:3.1 ns
- メモリフォーマット:SRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 基本製品番号:IS61NLP12836
- 記憶の組織化:128K x 36
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:3A991B2A
- HTS 米国:8542.32.0041
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS61NLP12836EC-200TQLI-TR bereitgestellt von ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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