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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236B-200B3LI
Hersteller Modell :IS61NLP51236B-200B3LI
Hersteller :ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Dasenic Modell :IS61NLP51236B-200B3LI-DS
Dokument : IS61NLP51236B-200B3LI Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
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IS61NLP51236B-200B3LI Informationen
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236B-200B3LI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:165-TBGA
- テクノロジー:SRAM - Synchronous, SDR
- サプライヤーデバイスパッケージ:165-TFBGA (13x15)
- メモリサイズ:18Mb (512K x 36)
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:3.135V ~ 3.465V
- クロック周波数:200 MHz
- アクセス時間:3 ns
- メモリフォーマット:SRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS61NLP51236B-200B3LI bereitgestellt von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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