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ISSI® IS61WV12816EFBLL-10TLI
2Mb,High-Speed,Async with ECC,12
- Hersteller Modell :IS61WV12816EFBLL-10TLI
- Hersteller :ISSI®
- Dasenic Modell :IS61WV12816EFBLL-10TLI-DS
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IS61WV12816EFBLL-10TLI Dokument - Beschreibung : 2Mb,High-Speed,Async with ECC,12
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ISSI® IS61WV12816EFBLL-10TLI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Technologie:SRAM - Asynchronous
Gerätepaket des Lieferanten:44-TSOP II
Speichergröße:2Mbit
Speichertyp:Volatile
Spannung - Versorgung:2.4V ~ 3.6V
Zugriffszeit:10 ns
Gedächtnis- Format:SRAM
Speicherschnittstelle:Parallel
Schreibzykluszeit – Wort, Seite:10ns
Speicherorganisation:128K x 16
Verpackung:Bulk
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH-Status:REACH Unaffected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISSI® IS61WV12816EFBLL-10TLI
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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