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ISSI® IS61WV51216EEALL-20TLI
8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Hersteller Modell :IS61WV51216EEALL-20TLI
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS61WV51216EEALL-20TLI-DS
Dokument :
IS61WV51216EEALL-20TLI Dokument
IS61WV51216EEALL-20TLI DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
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IS61WV51216EEALL-20TLI Informationen
ISSI® IS61WV51216EEALL-20TLI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- テクノロジー:SRAM - Asynchronous
- サプライヤーデバイスパッケージ:44-TSOP II
- メモリサイズ:8Mbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.65V ~ 2.2V
- アクセス時間:20 ns
- メモリフォーマット:SRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:20ns
- 記憶の組織化:512K x 16
- パッケージ:Bulk
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS61WV51216EEALL-20TLI bereitgestellt von ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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