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IXYS DCG160X650NA
PWR DIODE DISC-SCHOTTKY SOT-227B
Hersteller Modell :DCG160X650NA
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :DCG160X650NA-DS
Dokument :
DCG160X650NA Dokument
DCG160X650NA DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : PWR DIODE DISC-SCHOTTKY SOT-227B
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DCG160X650NA Informationen
IXYS DCG160X650NA technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.35 V @ 50 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:-
- ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):80A
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DCG160X650NA bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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