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IXYS DHG55I3300FE

POWER DIODE DISCRETES-SONIC I4-P
part number has RoHS
Hersteller Modell :DHG55I3300FE
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :DHG55I3300FE-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : POWER DIODE DISCRETES-SONIC I4-P
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MengeEinzelpreisGesamt
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MOQ :1 PCS
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Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
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DHG55I3300FE Informationen

  • IXYS DHG55I3300FE technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:i4-Pac™-5 (2 Leads)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:ISOPLUS i4-PAC™
  • スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Standard
  • 電流 - 平均整流 ( Io):50A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:3.4 V @ 60 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:100 µA @ 3300 V
  • 静電容量 @ Vr、 F:16pF @ 1.8kV, 1MHz
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):3300 V
  • 逆回復時間 (trr):1.65 µs
  • 動作温度 - 接合部:-40°C ~ 150°C
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DHG55I3300FE bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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