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IXYS DSEI60-10A
DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247AD
Hersteller Modell :DSEI60-10A
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :DSEI60-10A-DS
Dokument :
DSEI60-10A Dokument
DSEI60-10A DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247AD
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 18+ | $ 2.5431 | $ 45.78 |
| 44+ | $ 2.0867 | $ 91.81 |
| 67+ | $ 2.0215 | $ 135.44 |
| 93+ | $ 1.9563 | $ 181.94 |
| 119+ | $ 1.8911 | $ 225.04 |
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DSEI60-10A Informationen
IXYS DSEI60-10A technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-2
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AD
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):60A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:2.3 V @ 60 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:3 mA @ 1000 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1000 V
- 逆回復時間 (trr):50 ns
- 動作温度 - 接合部:-40°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DSEI60-10A bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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