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IXYS IXDD630MYI
Hersteller Modell :IXDD630MYI
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXDD630MYI-DS
Dokument : IXDD630MYI Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
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IXDD630MYI Informationen
IXYS IXDD630MYI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
- Eingabetyp:Non-Inverting
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-263-5
- Spannung - Versorgung:9V ~ 35V
- Kanaltyp:Single
- Angetriebene Konfiguration:Low-Side
- Anzahl der Fahrer:1
- Tortyp:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
- Logikspannung – V I L, V I H:0.8V, 3.5V
- Strom - Spitzenleistung ( Quelle, Senke):30A, 30A
- High- Side- Spannung – Max ( Bootstrap):-
- Anstiegs-/ Abfallzeit ( Typ):11ns, 11ns
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8542.39.0001
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXDD630MYI bereitgestellt von IXYS
Seit seiner Gründung im Silicon Valley im Jahr 1983 ist IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ein weltweiter Pionier in der Entwicklung von Leistungshalbleitern, Halbleiterrelais, integrierten Hochspannungsschaltkreisen und Mikrocontrollern. Mit einem Endkundenstamm von über 3.500 Kunden in den Branchen Industrie, Automobil, Kommunikation, Verbraucher, Medizin und Transport ist IXYS ein weltweit anerkannter Anbieter von fortschrittlichen Halbleitern. IXYS konzentriert sich auf verschiedene Halbleitertechnologien, darunter Leistungs-MOSFETs, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBTs), Gleichrichter, Thyristoren, Dioden und andere diskrete und integrierte Halbleiterlösungen. Das Unternehmen stellt außerdem Mixed-Signal- und Analog-ICs, HF-Leistungsverstärker und Energiemanagement-ICs her. Im Januar 2018 schloss Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) die Übernahme von IXYS Corporation ab und IXYS wurde von der NASDAQ genommen.
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