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IXYS LF2113BTR
GATE DRIVER HIGH/LOW SIDE 2A
- Hersteller Modell :LF2113BTR
- Hersteller :IXYS
- Dasenic Modell :LF2113BTR-DS
- Dokument :
LF2113BTR Dokument
- Beschreibung : GATE DRIVER HIGH/LOW SIDE 2A
- Verpackung :-
- Menge :Einzelpreis : $ 0.6992Gesamt : $ 0.70
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25 + | $ 0.6843 | $ 17.11 |
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IXYS LF2113BTR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-40°C ~ 125°C (TA)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Eingabetyp:Non-Inverting
Gerätepaket des Lieferanten:16-SOIC
Spannung - Versorgung:10V ~ 20V
Kanaltyp:Independent
Angetriebene Konfiguration:Half-Bridge
Anzahl der Fahrer:2
Tortyp:IGBT, N-Channel MOSFET
Logikspannung – V I L, V I H:5V, 9.5V
Strom - Spitzenleistung ( Quelle, Senke):2.5A, 2.5A
High- Side- Spannung – Max ( Bootstrap):600 V
Anstiegs-/ Abfallzeit ( Typ):15ns, 13ns
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH-Status:REACH Unaffected
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8542.39.0001
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS LF2113BTR
Seit seiner Gründung im Silicon Valley im Jahr 1983 ist IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ein weltweiter Pionier in der Entwicklung von Leistungshalbleitern, Halbleiterrelais, integrierten Hochspannungsschaltkreisen und Mikrocontrollern. Mit einem Endkundenstamm von über 3.500 Kunden in den Branchen Industrie, Automobil, Kommunikation, Verbraucher, Medizin und Transport ist IXYS ein weltweit anerkannter Anbieter von fortschrittlichen Halbleitern. IXYS konzentriert sich auf verschiedene Halbleitertechnologien, darunter Leistungs-MOSFETs, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBTs), Gleichrichter, Thyristoren, Dioden und andere diskrete und integrierte Halbleiterlösungen. Das Unternehmen stellt außerdem Mixed-Signal- und Analog-ICs, HF-Leistungsverstärker und Energiemanagement-ICs her. Im Januar 2018 schloss Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) die Übernahme von IXYS Corporation ab und IXYS wurde von der NASDAQ genommen.
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