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IXYS LIA135
IC OPAMP ISOLATION 1 CIRC 8DIP
- Hersteller Modell :LIA135
- Hersteller :IXYS
- Dasenic Modell :LIA135-DS
- Dokument :
LIA135 Dokument - Beschreibung : IC OPAMP ISOLATION 1 CIRC 8DIP
- Verpackung :-
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
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| 5 + | $ 3.0000 | $ 15.00 |
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IXYS LIA135 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 85°C
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:8-DIP (0.300", 7.62mm)
電流 - 供給:-
出力タイプ:-
サプライヤーデバイスパッケージ:8-DIP
回路数:1
アンプタイプ:Isolation
-3db帯域幅:-
電流 - 出力 / チャンネル:-
スルーレート:-
ゲイン帯域幅積:10 kHz
電流 - 入力バイアス:340 nA
電圧 - 入力オフセット:-
電圧 - 供給範囲（最小）:-
電圧 - 供給範囲（最大）:-
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8542.33.0001
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXYS LIA135
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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