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IXYS IXA20I1200PZ-TRL
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-263D2
- Hersteller Modell :IXA20I1200PZ-TRL
- Hersteller :IXYS
- Dasenic Modell :IXA20I1200PZ-TRL-DS
- Dokument :
IXA20I1200PZ-TRL Dokument
- Beschreibung : DISC IGBT XPT-GENX3 TO-263D2
- Verpackung :-
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IXYS IXA20I1200PZ-TRL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Eingabetyp:Standard
Leistung – Max:165 W
Gerätepaket des Lieferanten:TO-263HV
Sperrverzögerungszeit (trr):-
Strom - Kollektor ( Ic) ( Max):38 A
Spannung - Kollektor- Emitter- Durchbruch ( Max.):1200 V
I G B T- Typ:PT
Vce(ein) ( Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 15A
Strom - Kollektorpuls ( Icm):-
Energie schalten:1.6mJ (on), 1.7mJ (off)
Gate- Ladung:47 nC
Td (ein/aus) bei 25 ° C:48ns/230ns
Testbedingung:600V, 15A, 56Ohm, 15V
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXA20I1200PZ-TRL
Seit seiner Gründung im Silicon Valley im Jahr 1983 ist IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ein weltweiter Pionier in der Entwicklung von Leistungshalbleitern, Halbleiterrelais, integrierten Hochspannungsschaltkreisen und Mikrocontrollern. Mit einem Endkundenstamm von über 3.500 Kunden in den Branchen Industrie, Automobil, Kommunikation, Verbraucher, Medizin und Transport ist IXYS ein weltweit anerkannter Anbieter von fortschrittlichen Halbleitern. IXYS konzentriert sich auf verschiedene Halbleitertechnologien, darunter Leistungs-MOSFETs, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBTs), Gleichrichter, Thyristoren, Dioden und andere diskrete und integrierte Halbleiterlösungen. Das Unternehmen stellt außerdem Mixed-Signal- und Analog-ICs, HF-Leistungsverstärker und Energiemanagement-ICs her. Im Januar 2018 schloss Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) die Übernahme von IXYS Corporation ab und IXYS wurde von der NASDAQ genommen.
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