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IXYS IXFR16N90Q
Hersteller Modell :IXFR16N90Q
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXFR16N90Q-DS
Dokument : IXFR16N90Q Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH ISOPLUS247
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IXFR16N90Q Informationen
IXYS IXFR16N90Q technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:-
- パッケージ/ケース:-
- テクノロジー:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:-
- 消費電力(最大):-
- F E Tタイプ:-
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):-
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:-
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
- Vgs(th) (最大) @ Id:-
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
- 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):-
- Vgs (最大):-
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:OBSOLETE
- HTS 米国:0000.00.0000
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXFR16N90Q bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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