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IXYS IXFT60N60X3HV
MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
Hersteller Modell :IXFT60N60X3HV
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXFT60N60X3HV-DS
Dokument :
IXFT60N60X3HV Dokument
IXFT60N60X3HV DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 10.8180 | $ 10.82 |
| 30+ | $ 8.6349 | $ 259.05 |
| 120+ | $ 7.7259 | $ 927.11 |
| 510+ | $ 6.8170 | $ 3476.67 |
| 1020+ | $ 6.1353 | $ 6258.01 |
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IXFT60N60X3HV Informationen
IXYS IXFT60N60X3HV technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-268HV (IXFT)
- 消費電力（最大）:625W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:60A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:51mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:5V @ 4mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:51 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3450 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXFT60N60X3HV bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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