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IXYS IXGA20N250HV
DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE TO
Hersteller Modell :IXGA20N250HV
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXGA20N250HV-DS
Dokument :
IXGA20N250HV Dokument
IXGA20N250HV DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE TO
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 52.3350 | $ 52.34 |
| 10+ | $ 47.5740 | $ 475.74 |
| 25+ | $ 45.9900 | $ 1149.75 |
| 50+ | $ 45.0990 | $ 2254.95 |
| 100+ | $ 43.2180 | $ 4321.8 |
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IXGA20N250HV Informationen
IXYS IXGA20N250HV technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:150 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263HV
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):30 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):2500 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3.1V @ 15V, 20A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):105 A
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:53 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXGA20N250HV bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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