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IXYS IXGQ85N33PCD1
IGBT 330V 85A 150W TO3P
Hersteller Modell :IXGQ85N33PCD1
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXGQ85N33PCD1-DS
Dokument :
IXGQ85N33PCD1 Dokument
IXGQ85N33PCD1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT 330V 85A 150W TO3P
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 5.8140 | $ 5.81 |
| 30+ | $ 4.6389 | $ 139.17 |
| 120+ | $ 4.1506 | $ 498.07 |
| 510+ | $ 3.6624 | $ 1867.82 |
| 1020+ | $ 3.2961 | $ 3362.02 |
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IXGQ85N33PCD1 Informationen
IXYS IXGQ85N33PCD1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-3P-3, SC-65-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:150 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3P
- 逆回復時間 (trr):250 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):85 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):330 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3V @ 15V, 100A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):-
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:80 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXGQ85N33PCD1 bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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