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IXYS IXGT25N160
IGBT 1600V 75A 300W TO268
Hersteller Modell :IXGT25N160
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXGT25N160-DS
Dokument :
IXGT25N160 Dokument
IXGT25N160 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT 1600V 75A 300W TO268
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IXGT25N160 Informationen
IXYS IXGT25N160 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:300 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-268AA
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):75 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1600 V
- I G B Tタイプ:NPT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:4.7V @ 20V, 100A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):200 A
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:84 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXGT25N160 bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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