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  • IXYS IXTL2X200N085T

    MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :IXTL2X200N085T
  • Hersteller :IXYS
  • Dasenic Modell :IXTL2X200N085T-DS
  • Dokument :pdf download IXTL2X200N085T Dokument
  • Beschreibung : MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
  • Verpackung :-
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IXYS IXTL2X200N085T technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:ISOPLUSi5-Pak™
パワー - 最大:150W
サプライヤーデバイスパッケージ:ISOPLUSi5-Pak™
F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
F E T機能:Standard
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):85V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:112A
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:152nC @ 10V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:7600pF @ 25V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXYS IXTL2X200N085T
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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