Die Bilder dienen nur als Referenz.
1 : $3.4470
Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !
IXYS IXTY01N100D
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252
Hersteller Modell :IXTY01N100D
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXTY01N100D-DS
Dokument :
IXTY01N100D Dokument
IXTY01N100D DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 3.4470 | $ 3.45 |
| 70+ | $ 2.7284 | $ 190.99 |
| 140+ | $ 2.3387 | $ 327.42 |
| 560+ | $ 2.0788 | $ 1164.13 |
| 1050+ | $ 1.7799 | $ 1868.9 |
Auf Lager: 9450
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 3.447
Gesamt :$ 3.45
Waren ausliefern :
Zahlung :
Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.
Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.
Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.
Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.
IXTY01N100D Informationen
IXYS IXTY01N100D technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252AA
- 消費電力（最大）:1.1W (Ta), 25W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:Depletion Mode
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1000 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:100mA (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:110Ohm @ 50mA, 0V
- Vgs(th) (最大) @ Id:-
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:120 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXTY01N100D bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS Verwandte Produkte
Wir können Kundenanfragen nach elektronischen Komponenten umgehend erfüllen, auch bei Teilen, die auf dem Markt knapp sind.
