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IXYS IXTY1R4N60P TRL

Name: IXTY1R4N60P TRL
Brand: IXYS
SKU: DS-6224949
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252

Hersteller Modell :IXTY1R4N60P TRL

Hersteller :IXYS

Dasenic Modell :IXTY1R4N60P TRL-DS

Dokument :

IXTY1R4N60P TRL Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252

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IXTY1R4N60P TRL Informationen

IXYS IXTY1R4N60P TRL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252AA
消費電力（最大）:50W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:1.4A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:9Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:5.5V @ 25µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:5.2 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:140 pF @ 25 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±30V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

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Datasheet:
IXTY1R4N60P TRL,

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FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

IXTY1R4N60P TRL bereitgestellt von IXYS

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。