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IXYS IXXH80N65B4H1
IGBT 650V 160A 625W TO247AD
Hersteller Modell :IXXH80N65B4H1
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXXH80N65B4H1-DS
Dokument :
IXXH80N65B4H1 Dokument
IXXH80N65B4H1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT 650V 160A 625W TO247AD
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 10.7820 | $ 10.78 |
| 10+ | $ 10.0710 | $ 100.71 |
| 30+ | $ 7.4790 | $ 224.37 |
| 60+ | $ 7.4160 | $ 444.96 |
| 120+ | $ 6.8850 | $ 826.2 |
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IXXH80N65B4H1 Informationen
IXYS IXXH80N65B4H1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:625 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247 (IXXH)
- 逆回復時間 (trr):150 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):160 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):650 V
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2V @ 15V, 80A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):430 A
- エネルギーの切り替え:3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
- ゲートチャージ:120 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:38ns/120ns
- テスト条件:400V, 80A, 3Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXXH80N65B4H1 bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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