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IXYS IXYA20N120C3HV
IGBT
Hersteller Modell :IXYA20N120C3HV
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXYA20N120C3HV-DS
Dokument :
IXYA20N120C3HV Dokument
IXYA20N120C3HV DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 5.7060 | $ 5.71 |
| 100+ | $ 5.3057 | $ 530.57 |
| 1000+ | $ 5.1345 | $ 5134.5 |
| 10000+ | $ 4.8493 | $ 48493 |
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IXYA20N120C3HV Informationen
IXYS IXYA20N120C3HV technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:278 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263HV
- 逆回復時間 (trr):29 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):40 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3.4V @ 15V, 20A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):96 A
- エネルギーの切り替え:1.3mJ (on), 1mJ (off)
- ゲートチャージ:53 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:20ns/90ns
- テスト条件:600V, 20A, 10Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYA20N120C3HV bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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