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IXYS IXYA30N120A4HV
DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2
Hersteller Modell :IXYA30N120A4HV
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXYA30N120A4HV-DS
Dokument :
IXYA30N120A4HV Dokument
IXYA30N120A4HV DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 9.1440 | $ 9.14 |
| 10+ | $ 7.8390 | $ 78.39 |
| 50+ | $ 6.6240 | $ 331.2 |
| 100+ | $ 6.3090 | $ 630.9 |
| 250+ | $ 6.1380 | $ 1534.5 |
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IXYA30N120A4HV Informationen
IXYS IXYA30N120A4HV technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:500 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263HV
- 逆回復時間 (trr):42 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):106 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:1.9V @ 15V, 25A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):184 A
- エネルギーの切り替え:4mJ (on), 3.4mJ (off)
- ゲートチャージ:57 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:15ns/235ns
- テスト条件:960V, 25A, 5Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYA30N120A4HV bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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