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IXYS IXYP30N65C3
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
Hersteller Modell :IXYP30N65C3
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXYP30N65C3-DS
Dokument :
IXYP30N65C3 Dokument
IXYP30N65C3 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 9.8400 | $ 9.84 |
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| 10+ | $ 7.8000 | $ 78 |
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IXYP30N65C3 Informationen
IXYS IXYP30N65C3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:270 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220
- 逆回復時間 (trr):42 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):60 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):650 V
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.7V @ 15V, 30A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):118 A
- エネルギーの切り替え:1mJ (on), 270µJ (off)
- ゲートチャージ:44 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:21ns/75ns
- テスト条件:400V, 30A, 10Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYP30N65C3 bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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