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IXYS MCB30P1200LB-TUB
MCB30P1200LB-TUB
Hersteller Modell :MCB30P1200LB-TUB
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :MCB30P1200LB-TUB-DS
Dokument :
MCB30P1200LB-TUB Dokument
MCB30P1200LB-TUB DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MCB30P1200LB-TUB
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 132.7050 | $ 132.71 |
| 10+ | $ 122.9040 | $ 1229.04 |
| 20+ | $ 118.3050 | $ 2366.1 |
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MCB30P1200LB-TUB Informationen
IXYS MCB30P1200LB-TUB technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:9-PowerSMD
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:9-SMPD-B
- F E Tタイプ:4 N-Channel (Half Bridge)
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200V (1.2kV)
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:-
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
- Vgs(th) (最大) @ Id:-
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MCB30P1200LB-TUB bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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