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  • IXYS MUBW10-06A7

    IGBT MODULE 600V 20A 85W E2
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :MUBW10-06A7
  • Hersteller :IXYS
  • Dasenic Modell :MUBW10-06A7-DS
  • Dokument :pdf download MUBW10-06A7 Dokument
  • Beschreibung : IGBT MODULE 600V 20A 85W E2
  • Verpackung :-
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IXYS MUBW10-06A7 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:E2
パワー - 最大:85 W
サプライヤーデバイスパッケージ:E2
構成:Three Phase Inverter with Brake
入力:Three Phase Bridge Rectifier
電流 - コレクター ( Ic) (最大):20 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
電流 - コレクターカットオフ(最大):600 µA
I G B Tタイプ:NPT
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.3V @ 15V, 10A
入力容量 ( Cies) @ Vce:600 pF @ 25 V
N T Cサーミスタ:Yes
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXYS MUBW10-06A7
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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