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IXYS W6672TJ350

Name: W6672TJ350
Brand: IXYS
SKU: DS-5842406
Price: 823.6 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -

Hersteller Modell :W6672TJ350

Hersteller :IXYS

Dasenic Modell :W6672TJ350-DS

Dokument :

W6672TJ350 Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -

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W6672TJ350 Informationen

IXYS W6672TJ350 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:TO-200AF
サプライヤーデバイスパッケージ:-
スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard
電流 - 平均整流 ( Io):6672A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.37 V @ 5000 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:100 mA @ 1900 V
静電容量 @ Vr、 F:-
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1900 V
逆回復時間 (trr):52 µs
動作温度 - 接合部:-40°C ~ 160°C
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
W6672TJ350,

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FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

W6672TJ350 bereitgestellt von IXYS

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。