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  • Kioxia America, Inc. TC58NYG2S0HBAI6

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :TC58NYG2S0HBAI6
  • Hersteller :Kioxia America, Inc.
  • Dasenic Modell :TC58NYG2S0HBAI6-DS
  • Dokument :pdf download TC58NYG2S0HBAI6 Dokument
  • Beschreibung : IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
  • Verpackung :-
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  • Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
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Kioxia America, Inc. TC58NYG2S0HBAI6 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:67-VFBGA
テクノロジー:FLASH - NAND (SLC)
サプライヤーデバイスパッケージ:67-VFBGA (6.5x8)
メモリサイズ:4Gb (512M x 8)
メモリタイプ:Non-Volatile
電圧 - 供給:1.7V ~ 1.95V
クロック周波数:-
アクセス時間:25 ns
メモリフォーマット:Flash
メモリインターフェース:Parallel
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:25ns
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:3A991B1A
HTS 米国:8542.32.0071
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Kioxia America, Inc. TC58NYG2S0HBAI6
KIOXIA America, Inc. (旧 Toshiba Memory America, Inc.) は、フラッシュメモリとソリッドステートドライブ (SSD) の世界的大手サプライヤーである KIOXIA Corporation の米国子会社です。フラッシュメモリの発明から今日の画期的な BiCS FLASH™ 3D テクノロジまで、KIOXIA は人々の生活を豊かにし、社会の視野を広げる最先端のメモリソリューションとサービスを開拓し続けています。同社の革新的な 3D フラッシュメモリテクノロジである BiCS FLASH™ は、高度なスマートフォン、PC、SSD、自動車、データセンターなどの高密度アプリケーションにおけるストレージの未来を形作っています。
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